深圳市誉辉天成电子有限公司
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电源场效应管NCE30H12K采用了先进的沟槽技术和设计，提供了极好的RDS(ON)和低栅电荷。它可以用于各种各样的应用。
一般特点：
VDS=30v,ID=120
RDS(ON)＜4.5mΩ@vg=10v(Typ：3.5mΩ）
高密度电池设计超低Rdson
充分描述雪崩电压和电流
稳定性好，均匀性好，EAS高
良好的散热包装
特殊工艺，具有高ESD能力
应用程序：
功率切换应用程序
硬开关和高频电路
不间断电源
绝对最大额定值(TA=25℃，除非另有说明)：
漏源电压：30V
栅源电压：±20V
漏极电流连续：120
漏极电流连续(TC=100℃)：84
脉冲漏极电流：400
最大功耗：120W
单脉冲雪崩能量(注5)：350mj
操作结和存储温度范围：-55-175℃
电气特性(TA=25℃，除非另有说明)：
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