IRFB3206PBF MOS 场效应晶体管_深圳市共强科技有限公司

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传真：23004235
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产品分类

集成电路(IC)(3)

二极管(1)

稳压二极管(1)

三极管(2)

其他三极管(2)

场效应管MOSFET(4)

可控硅IGBT(1)

可控硅(晶闸管)模块(1)

光电子/光纤/激光(2)

红外线发射管(2)

其他未分类(1)

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IRFB3206PBF MOS 场效应晶体管

IRFB3206PBF MOS 场效应晶体管

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IRFB3206PBF MOS 场效应晶体管

型号/规格：

IRFB3206PBF

品牌/商标：

INFINEON（英飞凌）

封装形式：

TO-220(TO-220-3)

环保类别：

普通型

安装方式：

直插式

包装方式：

卷带编带包装

QQ:959819120

询价

询价

产品信息

一般信息

数据列表	IRFB3206PbF, IRFS(L)3206PbF;
标准包装	50
包装	管件
零件状态	有源
类别	分立半导体产品
产品族	晶体管 - FET，MOSFET - 单个
系列	HEXFET®
其它名称	64-0088PBF 64-0088PBF-ND SP001566480

规格

FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	120A（Tc）
驱动电压 Rds On	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻	3 毫欧 @ 75A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)	4V @ 150μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)	170nC @ 10V
Vgs	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)	6540pF @ 50V
FET 功能	-
功率耗散	300W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-220AB
封装/外壳	TO-220-3